Proizvođač Broj proizvoda:
SIHP20N50E-GE3
Product Overview
Proizvođač:
Vishay Siliconix
Broj dela:
SIHP20N50E-GE3-DG
Opis:
MOSFET N-CH 500V 19A TO220AB
Detaljan opis:
N-Channel 500 V 19A (Tc) 179W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventar:
861 kom. Nova originalna na skladištu
13063201
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
SIHP20N50E-GE3 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Vishay
Pakovanje
Tube
Serije
-
Pakovanje
Tube
Deo Status
Active
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
500 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
19A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
184mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
92 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±30V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
1640 pF @ 100 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
179W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Through Hole
Dobavljač uređaja Paket
TO-220AB
Paket / slučaj
TO-220-3
Osnovni broj proizvoda
SIHP20
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički listovi
Dodatne informacije
Standardni paket
1,000
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
BROJ DELOVA
SPP21N50C3XKSA1
Proizvođač
Infineon Technologies
KOLIČINA DOSTUPNA
2469
DiGi BROJ DELOVA
SPP21N50C3XKSA1-DG
JEDINIČNA CENA
1.91
TIP ZAMENE
MFR Recommended
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
SIHH120N60E-T1-GE3
MOSFET N-CH 600V 24A PPAK 8 X 8
SIJ420DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8
SIHB17N80E-GE3
MOSFET N-CH 800V 15A D2PAK
