Proizvođač Broj proizvoda:
SIJ420DP-T1-GE3
Product Overview
Proizvođač:
Vishay Siliconix
Broj dela:
SIJ420DP-T1-GE3-DG
Opis:
MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8
Detaljan opis:
N-Channel 20 V 50A (Tc) 4.8W (Ta), 62.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventar:
13063245
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
SIJ420DP-T1-GE3 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Vishay
Pakovanje
-
Serije
TrenchFET®
Pakovanje
Tape & Reel (TR)
Deo Status
Obsolete
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
20 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
50A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
4.5V, 10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
2.6mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.4V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
90 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
3630 pF @ 10 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
4.8W (Ta), 62.5W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Dobavljač uređaja Paket
PowerPAK® SO-8
Paket / slučaj
PowerPAK® SO-8
Osnovni broj proizvoda
SIJ420
Dodatne informacije
Standardni paket
3,000
Ostala imena
SIJ420DP-T1-GE3CT
SIJ420DP-T1-GE3TR
SIJ420DPT1GE3
SIJ420DP-T1-GE3DKR
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
SIHB17N80E-GE3
MOSFET N-CH 800V 15A D2PAK
SISS22DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 25A/90.6A PPAK
SISS23DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 50A PPAK 1212-8S
