Proizvođač Broj proizvoda:
SISS22DN-T1-GE3
Product Overview
Proizvođač:
Vishay Siliconix
Broj dela:
SISS22DN-T1-GE3-DG
Opis:
MOSFET N-CH 60V 25A/90.6A PPAK
Detaljan opis:
N-Channel 60 V 25A (Ta), 90.6A (Tc) 5W (Ta), 65.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S
Inventar:
8325 kom. Nova originalna na skladištu
13063646
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
SISS22DN-T1-GE3 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Vishay
Pakovanje
Tape & Reel (TR)
Serije
TrenchFET® Gen IV
Pakovanje
Tape & Reel (TR)
Deo Status
Active
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
60 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
25A (Ta), 90.6A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
7.5V, 10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
4mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3.6V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
44 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
1870 pF @ 30 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
5W (Ta), 65.7W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Dobavljač uređaja Paket
PowerPAK® 1212-8S
Paket / slučaj
PowerPAK® 1212-8S
Osnovni broj proizvoda
SISS22
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički podaci
Tehnički listovi
HTML Tehnička dokumentacija
Dodatne informacije
Standardni paket
3,000
Ostala imena
SISS22DN-T1-GE3DKR
SISS22DN-T1-GE3CT
SISS22DN-T1-GE3TR
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
SISS23DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 50A PPAK 1212-8S
BSS138W L6433
MOSFET N-CH 60V 280MA SOT323-3
AUIRLS3034-7P
MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK
