Proizvođač Broj proizvoda:
SIA459EDJ-T1-GE3
Product Overview
Proizvođač:
Vishay Siliconix
Broj dela:
SIA459EDJ-T1-GE3-DG
Opis:
MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC70-6
Detaljan opis:
P-Channel 20 V 9A (Tc) 2.9W (Ta), 15.6W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6
Inventar:
15828 kom. Nova originalna na skladištu
13008977
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
SIA459EDJ-T1-GE3 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Vishay
Pakovanje
Tape & Reel (TR)
Serije
TrenchFET®
Pakovanje
Tape & Reel (TR)
Deo Status
Active
FET Tip
P-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
20 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
9A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Srs Na (maks) @ id, vgs
35mOhm @ 5A, 4.5V
vgs(th) (maks) @ id
1.2V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±12V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
885 pF @ 10 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
2.9W (Ta), 15.6W (Tc)
Radna temperatura
-50°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Dobavljač uređaja Paket
PowerPAK® SC-70-6
Paket / slučaj
PowerPAK® SC-70-6
Osnovni broj proizvoda
SIA459
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički podaci
HTML Tehnička dokumentacija
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
SUD50N04-16P-E3
MOSFET N-CH 40V 9.8A/20A TO252
SIS410DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8
SISS27DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 50A PPAK 1212-8S
