Proizvođač Broj proizvoda:
SISS27DN-T1-GE3
Product Overview
Proizvođač:
Vishay Siliconix
Broj dela:
SISS27DN-T1-GE3-DG
Opis:
MOSFET P-CH 30V 50A PPAK 1212-8S
Detaljan opis:
P-Channel 30 V 50A (Tc) 4.8W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S
Inventar:
27000 kom. Nova originalna na skladištu
13009806
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
SISS27DN-T1-GE3 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Vishay
Pakovanje
Tape & Reel (TR)
Serije
TrenchFET®
Pakovanje
Tape & Reel (TR)
Deo Status
Active
FET Tip
P-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
30 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
50A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
4.5V, 10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
5.6mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.2V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
140 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
5250 pF @ 15 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
4.8W (Ta), 57W (Tc)
Radna temperatura
-50°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Dobavljač uređaja Paket
PowerPAK® 1212-8S
Paket / slučaj
PowerPAK® 1212-8S
Osnovni broj proizvoda
SISS27
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički podaci
HTML Tehnička dokumentacija
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
SIHH14N65EF-T1-GE3
MOSFET N-CH 650V 15A PPAK 8 X 8
SUM110P04-04L-E3
MOSFET P-CH 40V 110A TO263
SQM40081EL_GE3
MOSFET P-CH 40V 50A TO263
