Proizvođač Broj proizvoda:
SQ4435EY-T1_GE3
Product Overview
Proizvođač:
Vishay Siliconix
Broj dela:
SQ4435EY-T1_GE3-DG
Opis:
MOSFET P-CHANNEL 30V 15A 8SOIC
Detaljan opis:
P-Channel 30 V 15A (Tc) 6.8W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Inventar:
2352 kom. Nova originalna na skladištu
12916594
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
PXlr
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
SQ4435EY-T1_GE3 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Vishay
Pakovanje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Status proizvoda
Active
FET Tip
P-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
30 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
15A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
4.5V, 10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
18mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.5V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
58 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
2170 pF @ 15 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
6.8W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Dobavljač uređaja Paket
8-SOIC
Paket / slučaj
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Osnovni broj proizvoda
SQ4435
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički podaci
Tehnički listovi
HTML Tehnička dokumentacija
Dodatne informacije
Standardni paket
2,500
Ostala imena
SQ4435EY-T1_GE3-DG
SQ4435EY-T1_GE3CT
SQ4435EY-T1_GE3DKR
SQ4435EY-T1_GE3TR
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
BROJ DELOVA
SQ4435EY-T1_BE3
Proizvođač
Vishay Siliconix
KOLIČINA DOSTUPNA
2500
DiGi BROJ DELOVA
SQ4435EY-T1_BE3-DG
JEDINIČNA CENA
0.48
TIP ZAMENE
Direct
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
SIDR680DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 80V 32.8A/100A PPAK
SIA438EDJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 6A PPAK SC70-6
SIR876ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8
