Proizvođač Broj proizvoda:
SIA438EDJ-T1-GE3
Product Overview
Proizvođač:
Vishay Siliconix
Broj dela:
SIA438EDJ-T1-GE3-DG
Opis:
MOSFET N-CH 20V 6A PPAK SC70-6
Detaljan opis:
N-Channel 20 V 6A (Tc) 2.4W (Ta), 11.4W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6
Inventar:
12916597
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
SIA438EDJ-T1-GE3 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Vishay
Pakovanje
-
Serije
TrenchFET®
Status proizvoda
Active
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
20 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
6A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Srs Na (maks) @ id, vgs
46mOhm @ 3.9A, 4.5V
vgs(th) (maks) @ id
1.4V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±12V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
350 pF @ 10 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
2.4W (Ta), 11.4W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Dobavljač uređaja Paket
PowerPAK® SC-70-6
Paket / slučaj
PowerPAK® SC-70-6
Osnovni broj proizvoda
SIA438
Dodatne informacije
Standardni paket
3,000
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
SIR876ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8
IXFK32N50Q
MOSFET N-CH 500V 32A TO264AA
SIHH26N60EF-T1-GE3
MOSFET N-CH 600V 24A PPAK 8 X 8
