SIHG24N65E-E3
Proizvođač Broj proizvoda:

SIHG24N65E-E3

Product Overview

Proizvođač:

Vishay Siliconix

Broj dela:

SIHG24N65E-E3-DG

Opis:

MOSFET N-CH 650V 24A TO247AC
Detaljan opis:
N-Channel 650 V 24A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-247AC

Inventar:

12965892
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI

SIHG24N65E-E3 Tehničke specifikacije

Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Vishay
Pakovanje
Tube
Serije
-
Status proizvoda
Active
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
650 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
24A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
145mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
122 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±30V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
2740 pF @ 100 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
250W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Through Hole
Dobavljač uređaja Paket
TO-247AC
Paket / slučaj
TO-247-3
Osnovni broj proizvoda
SIHG24

Tehnička dokumentacija i dokumenti

Tehnički podaci
Tehnički listovi
HTML Tehnička dokumentacija

Dodatne informacije

Standardni paket
500
Ostala imena
SIHG24N65EE3

Ekoloska i izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternativni modeli

BROJ DELOVA
IXFH50N60P3
Proizvođač
IXYS
KOLIČINA DOSTUPNA
386
DiGi BROJ DELOVA
IXFH50N60P3-DG
JEDINIČNA CENA
5.53
TIP ZAMENE
MFR Recommended
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
vishay-siliconix

SIHG73N60AEL-GE3

MOSFET N-CH 600V 69A TO247AC

vishay-siliconix

SIR172ADP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 24A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SIR158DP-T1-RE3

MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SIR870ADP-T1-GE3

MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8