Proizvođač Broj proizvoda:
SIHG73N60AEL-GE3
Product Overview
Proizvođač:
Vishay Siliconix
Broj dela:
SIHG73N60AEL-GE3-DG
Opis:
MOSFET N-CH 600V 69A TO247AC
Detaljan opis:
N-Channel 600 V 69A (Tc) 520W (Tc) Through Hole TO-247AC
Inventar:
40 kom. Nova originalna na skladištu
12965896
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
SIHG73N60AEL-GE3 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Vishay
Pakovanje
Tube
Serije
EL
Status proizvoda
Obsolete
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
600 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
69A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
42mOhm @ 36.5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
342 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±30V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
6709 pF @ 100 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
520W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Through Hole
Dobavljač uređaja Paket
TO-247AC
Paket / slučaj
TO-247-3
Osnovni broj proizvoda
SIHG73
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički podaci
HTML Tehnička dokumentacija
Dodatne informacije
Standardni paket
25
Ostala imena
SIHG73N60AEL-GE3DKR
SIHG73N60AEL-GE3DKRINACTIVE
SIHG73N60AEL-GE3CT
SIHG73N60AEL-GE3TR
SIHG73N60AEL-GE3DKR-DG
SIHG73N60AEL-GE3TRINACTIVE
SIHG73N60AEL-GE3CT-DG
SIHG73N60AEL-GE3TR-DG
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
SIR172ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 24A PPAK SO-8
SIR158DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
SIR870ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
