Proizvođač Broj proizvoda:
SIE812DF-T1-E3
Product Overview
Proizvođač:
Vishay Siliconix
Broj dela:
SIE812DF-T1-E3-DG
Opis:
MOSFET N-CH 40V 60A 10POLARPAK
Detaljan opis:
N-Channel 40 V 60A (Tc) 5.2W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount 10-PolarPAK® (L)
Inventar:
12918441
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
SIE812DF-T1-E3 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Vishay
Pakovanje
Tape & Reel (TR)
Serije
TrenchFET®
Status proizvoda
Last Time Buy
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
40 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
60A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
4.5V, 10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
2.6mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
170 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
8300 pF @ 20 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
5.2W (Ta), 125W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Dobavljač uređaja Paket
10-PolarPAK® (L)
Paket / slučaj
10-PolarPAK® (L)
Osnovni broj proizvoda
SIE812
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički podaci
Tehnički listovi
HTML Tehnička dokumentacija
Dodatne informacije
Standardni paket
3,000
Ostala imena
SIE812DF-T1-E3TR
SIE812DF-T1-E3DKR
SIE812DF-T1-E3CT
SIE812DFT1E3
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
BROJ DELOVA
SIE812DF-T1-GE3
Proizvođač
Vishay Siliconix
KOLIČINA DOSTUPNA
275
DiGi BROJ DELOVA
SIE812DF-T1-GE3-DG
JEDINIČNA CENA
1.47
TIP ZAMENE
Parametric Equivalent
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
SIE808DF-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 60A 10POLARPAK
SUD09P10-195-GE3
MOSFET P-CH 100V 8.8A TO252
SI3434DV-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 4.6A 6TSOP
