Proizvođač Broj proizvoda:
SQJ414EP-T1_GE3
Product Overview
Proizvođač:
Vishay Siliconix
Broj dela:
SQJ414EP-T1_GE3-DG
Opis:
MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
Detaljan opis:
N-Channel 30 V 30A (Tc) 45W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventar:
12918457
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
8C25
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
SQJ414EP-T1_GE3 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Vishay
Pakovanje
Tape & Reel (TR)
Serije
TrenchFET®
Status proizvoda
Active
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
30 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
30A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
4.5V, 10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
12mOhm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.5V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
1110 pF @ 15 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
45W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Razredu
Automotive
Kvalifikacije
AEC-Q101
Tip montaže
Surface Mount
Dobavljač uređaja Paket
PowerPAK® SO-8
Paket / slučaj
PowerPAK® SO-8
Osnovni broj proizvoda
SQJ414
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički podaci
Tehnički listovi
HTML Tehnička dokumentacija
Dodatne informacije
Standardni paket
3,000
Ostala imena
SQJ414EP-T1_GE3DKR
SQJ414EP-T1_GE3TR
SQJ414EP-T1_GE3CT
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
BROJ DELOVA
SQJ414EP-T1_BE3
Proizvođač
Vishay Siliconix
KOLIČINA DOSTUPNA
17929
DiGi BROJ DELOVA
SQJ414EP-T1_BE3-DG
JEDINIČNA CENA
0.28
TIP ZAMENE
Parametric Equivalent
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
SQJA80EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
SI4688DY-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 8.9A 8SO
BUK763R6-40C,118
MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK