Proizvođač Broj proizvoda:
SI1011X-T1-GE3
Product Overview
Proizvođač:
Vishay Siliconix
Broj dela:
SI1011X-T1-GE3-DG
Opis:
MOSFET P-CH 12V SC89-3
Detaljan opis:
P-Channel 12 V 480mA (Ta) 190mW (Ta) Surface Mount SC-89-3
Inventar:
12913409
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
SI1011X-T1-GE3 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Vishay
Pakovanje
-
Serije
TrenchFET®
Status proizvoda
Obsolete
FET Tip
P-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
12 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
480mA (Ta)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
1.2V, 4.5V
Srs Na (maks) @ id, vgs
640mOhm @ 400mA, 4.5V
vgs(th) (maks) @ id
800mV @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
4 nC @ 4.5 V
Vgs (Maks)
±5V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
62 pF @ 6 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
190mW (Ta)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Dobavljač uređaja Paket
SC-89-3
Paket / slučaj
SC-89, SOT-490
Osnovni broj proizvoda
SI1011
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički podaci
Tehnički listovi
HTML Tehnička dokumentacija
Dodatne informacije
Standardni paket
3,000
Ostala imena
SI1011X-T1-GE3DKR
SI1011X-T1-GE3CT
SI1011X-T1-GE3TR
SI1011XT1GE3
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
SI2329DS-T1-GE3
MOSFET P-CH 8V 6A SOT23-3
IRFBC30ASTRLPBF
MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
IRL530S
MOSFET N-CH 100V 15A D2PAK
