Proizvođač Broj proizvoda:
SI2329DS-T1-GE3
Product Overview
Proizvođač:
Vishay Siliconix
Broj dela:
SI2329DS-T1-GE3-DG
Opis:
MOSFET P-CH 8V 6A SOT23-3
Detaljan opis:
P-Channel 8 V 6A (Tc) 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Inventar:
4739 kom. Nova originalna na skladištu
12913419
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
SI2329DS-T1-GE3 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Vishay
Pakovanje
Tape & Reel (TR)
Serije
TrenchFET®
Status proizvoda
Active
FET Tip
P-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
8 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
6A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
1.2V, 4.5V
Srs Na (maks) @ id, vgs
30mOhm @ 5.3A, 4.5V
vgs(th) (maks) @ id
800mV @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
29 nC @ 4.5 V
Vgs (Maks)
±5V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
1485 pF @ 4 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
2.5W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Dobavljač uređaja Paket
SOT-23-3 (TO-236)
Paket / slučaj
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Osnovni broj proizvoda
SI2329
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički podaci
Tehnički listovi
HTML Tehnička dokumentacija
Dodatne informacije
Standardni paket
3,000
Ostala imena
SI2329DS-T1-GE3-DG
SI2329DS-T1-GE3CT
SI2329DS-T1-GE3TR
SI2329DS-T1-GE3DKR
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
IRFBC30ASTRLPBF
MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
IRL530S
MOSFET N-CH 100V 15A D2PAK
SI4892DY-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 8.8A 8SO
