Proizvođač Broj proizvoda:
IRFU120NPBF
Product Overview
Proizvođač:
Infineon Technologies
Broj dela:
IRFU120NPBF-DG
Opis:
MOSFET N-CH 100V 9.4A IPAK
Detaljan opis:
N-Channel 100 V 9.4A (Tc) 48W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)
Inventar:
5236 kom. Nova originalna na skladištu
12803791
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
XfnX
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
IRFU120NPBF Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Infineon Technologies
Pakovanje
Tube
Serije
HEXFET®
Status proizvoda
Active
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
100 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
9.4A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
210mOhm @ 5.6A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
330 pF @ 25 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
48W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip montaže
Through Hole
Dobavljač uređaja Paket
IPAK (TO-251AA)
Paket / slučaj
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Osnovni broj proizvoda
IRFU120
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički podaci
Tehnički listovi
HTML Tehnička dokumentacija
Dodatne informacije
Standardni paket
75
Ostala imena
SP001557678
*IRFU120NPBF
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
IPA65R045C7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 18A TO220-FP
IPD90P04P4L04ATMA1
MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3
IPB80N06S2L06ATMA2
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
