IRF6636

Proizvođač Broj proizvoda:

IRF6636

Product Overview

Proizvođač:

Infineon Technologies

Broj dela:

IRF6636-DG

Opis:

MOSFET N-CH 20V 18A DIRECTFET

Detaljan opis:

N-Channel 20 V 18A (Ta), 81A (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ ST

Inventar:

RFQ Online

12803798

Zatraži ponudu

Količina
Minimum 1

(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata

POŠALJI

IRF6636 Tehničke specifikacije

Kategorija

FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi

Proizvođač

Infineon Technologies

Pakovanje

-

Serije

HEXFET®

Status proizvoda

Obsolete

FET Tip

N-Channel

Tehnologija

MOSFET (Metal Oxide)

Odvod do izvornog napona (VDS)

20 V

Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C

18A (Ta), 81A (Tc)

Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)

4.5V, 10V

Srs Na (maks) @ id, vgs

4.5mOhm @ 18A, 10V

vgs(th) (maks) @ id

2.45V @ 250µA

Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs

27 nC @ 4.5 V

Vgs (Maks)

±20V

Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS

2420 pF @ 10 V

FET karakteristika

-

Rasipanje snage (maks)

2.2W (Ta), 42W (Tc)

Radna temperatura

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tip montaže

Surface Mount

Dobavljač uređaja Paket

DIRECTFET™ ST

Paket / slučaj

DirectFET™ Isometric ST

Tehnička dokumentacija i dokumenti

Tehnički podaci

HTML Tehnička dokumentacija

Dodatne informacije

Standardni paket

4,800

Ostala imena

IRF6636TR

IRF6636CT

Ekoloska i izvozna klasifikacija

RoHS Status

RoHS non-compliant

Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)

3 (168 Hours)

REACH Status

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Sertifikacija

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Povezani proizvodi

infineon-technologies

IPD60R600E6ATMA1

MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252

infineon-technologies

IPB180N10S402ATMA1

MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7

infineon-technologies

IRF3808PBF

MOSFET N-CH 75V 140A TO220AB

infineon-technologies

IPI70N10S312AKSA1

MOSFET N-CH 100V 70A TO262-3