Proizvođač Broj proizvoda:
IPI075N15N3GXKSA1
Product Overview
Proizvođač:
Infineon Technologies
Broj dela:
IPI075N15N3GXKSA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 150V 100A TO262-3
Detaljan opis:
N-Channel 150 V 100A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Inventar:
498 kom. Nova originalna na skladištu
12801590
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
XfKV
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
IPI075N15N3GXKSA1 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Infineon Technologies
Pakovanje
Tube
Serije
OptiMOS™
Status proizvoda
Active
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
150 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
100A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
8V, 10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
7.5mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 270µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
93 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
5470 pF @ 75 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
300W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip montaže
Through Hole
Dobavljač uređaja Paket
PG-TO262-3
Paket / slučaj
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Osnovni broj proizvoda
IPI075
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički podaci
Tehnički listovi
HTML Tehnička dokumentacija
Dodatne informacije
Standardni paket
50
Ostala imena
SP000680676
2156-IPI075N15N3GXKSA1
INFINFIPI075N15N3GXKSA1
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
IPB04N03LB
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
IPD50N06S214ATMA2
MOSFET N-CH 55V 50A TO252-31
IPB017N08N5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
