Proizvođač Broj proizvoda:
BSS83PH6327XTSA1
Product Overview
Proizvođač:
Infineon Technologies
Broj dela:
BSS83PH6327XTSA1-DG
Opis:
MOSFET P-CH 60V 330MA SOT23-3
Detaljan opis:
P-Channel 60 V 330mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23
Inventar:
107633 kom. Nova originalna na skladištu
12801601
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
BSS83PH6327XTSA1 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Infineon Technologies
Pakovanje
Tape & Reel (TR)
Serije
SIPMOS®
Status proizvoda
Active
FET Tip
P-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
60 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
330mA (Ta)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
4.5V, 10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
2Ohm @ 330mA, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2V @ 80µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
3.57 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
78 pF @ 25 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
360mW (Ta)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Dobavljač uređaja Paket
PG-SOT23
Paket / slučaj
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Osnovni broj proizvoda
BSS83PH6327
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički podaci
HTML Tehnička dokumentacija
Dodatne informacije
Standardni paket
3,000
Ostala imena
BSS83P H6327CT
BSS83PH6327XTSA1DKR
BSS83PH6327XTSA1TR
SP000702486
BSS83P H6327TR-DG
BSS83P H6327DKR
BSS83P H6327DKR-DG
BSS83P H6327
BSS83P H6327CT-DG
BSS83PH6327XTSA1CT
BSS83P H6327-DG
BSS83PH6327
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
IPI024N06N3GXKSA1
MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
IPP030N10N5AKSA1
MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
BSR316PH6327XTSA1
MOSFET P-CH 100V 360MA SC59
