Proizvođač Broj proizvoda:
IPD082N10N3GATMA1
Product Overview
Proizvođač:
Infineon Technologies
Broj dela:
IPD082N10N3GATMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
Detaljan opis:
N-Channel 100 V 80A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventar:
31476 kom. Nova originalna na skladištu
12800584
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
RVoB
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
IPD082N10N3GATMA1 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Infineon Technologies
Pakovanje
Tape & Reel (TR)
Serije
OptiMOS™
Status proizvoda
Active
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
100 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
80A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
6V, 10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
8.2mOhm @ 73A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3.5V @ 75µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
55 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
3980 pF @ 50 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
125W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Dobavljač uređaja Paket
PG-TO252-3
Paket / slučaj
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Osnovni broj proizvoda
IPD082
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički podaci
Tehnički listovi
HTML Tehnička dokumentacija
Dodatne informacije
Standardni paket
2,500
Ostala imena
IPD082N10N3GATMA1-DG
IPD082N10N3GATMA1TR
SP001127824
IPD082N10N3GATMA1CT
IPD082N10N3GATMA1DKR
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
IPD50R800CEBTMA1
MOSFET N CH 500V 5A TO252
IPA50R399CPXKSA1
MOSFET N-CH 500V 9A TO220-FP
IPC60R280E6X7SA1
MOSFET N-CH
