Proizvođač Broj proizvoda:
IPB120N03S4L03ATMA1
Product Overview
Proizvođač:
Infineon Technologies
Broj dela:
IPB120N03S4L03ATMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
Detaljan opis:
N-Channel 30 V 120A (Tc) 79W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Inventar:
12800592
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
IPB120N03S4L03ATMA1 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Infineon Technologies
Pakovanje
-
Serije
OptiMOS™
Status proizvoda
Obsolete
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
30 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
120A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
4.5V, 10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
3mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.2V @ 40µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
72 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±16V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
5300 pF @ 25 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
79W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Razredu
Automotive
Kvalifikacije
AEC-Q101
Tip montaže
Surface Mount
Dobavljač uređaja Paket
PG-TO263-3
Paket / slučaj
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Osnovni broj proizvoda
IPB120
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički podaci
Tehnički listovi
HTML Tehnička dokumentacija
Dodatne informacije
Standardni paket
1,000
Ostala imena
2156-IPB120N03S4L03ATMA1
INFINFIPB120N03S4L03ATMA1
SP000936514
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
BROJ DELOVA
IPB80N03S4L02ATMA1
Proizvođač
Infineon Technologies
KOLIČINA DOSTUPNA
0
DiGi BROJ DELOVA
IPB80N03S4L02ATMA1-DG
JEDINIČNA CENA
1.20
TIP ZAMENE
MFR Recommended
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
IPB035N08N3GATMA1
MOSFET N-CH 80V 100A D2PAK
IPD80R4K5P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 1.5A TO252
IPB019N08N3GATMA1
MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
