Proizvođač Broj proizvoda:
FQA27N25
Product Overview
Proizvođač:
Fairchild Semiconductor
Broj dela:
FQA27N25-DG
Opis:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
Detaljan opis:
N-Channel 250 V 27A (Tc) 210W (Tc) Through Hole TO-3PN
Inventar:
237 kom. Nova originalna na skladištu
12946804
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
oqIh
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
FQA27N25 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Pakovanje
Bulk
Serije
QFET®
Status proizvoda
Active
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
250 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
27A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
110mOhm @ 13.5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
5V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
65 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±30V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
2450 pF @ 25 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
210W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Through Hole
Dobavljač uređaja Paket
TO-3PN
Paket / slučaj
TO-3P-3, SC-65-3
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički listovi
Dodatne informacije
Standardni paket
189
Ostala imena
2156-FQA27N25
ONSONSFQA27N25
Ekoloska i izvozna klasifikacija
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
FDS8672S
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
AUIRF3205ZS
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
FDP39N20
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
