FDP39N20
Proizvođač Broj proizvoda:

FDP39N20

Product Overview

Proizvođač:

Fairchild Semiconductor

Broj dela:

FDP39N20-DG

Opis:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
Detaljan opis:
N-Channel 200 V 39A (Tc) 251W (Tc) Through Hole TO-220-3

Inventar:

500 kom. Nova originalna na skladištu
12946807
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI

FDP39N20 Tehničke specifikacije

Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Pakovanje
Bulk
Serije
UniFET™
Status proizvoda
Active
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
200 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
39A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
66mOhm @ 19.5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
5V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
49 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±30V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
2130 pF @ 25 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
251W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Through Hole
Dobavljač uređaja Paket
TO-220-3
Paket / slučaj
TO-220-3

Tehnička dokumentacija i dokumenti

Tehnički listovi
FDP39N20 Datasheet

Dodatne informacije

Standardni paket
189
Ostala imena
ONSFSCFDP39N20
2156-FDP39N20

Ekoloska i izvozna klasifikacija

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI Sertifikacija
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Povezani proizvodi
fairchild-semiconductor

FDMS4435BZ

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9

fairchild-semiconductor

FQD1N60CTM

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

fairchild-semiconductor

FDD6688

MOSFET N-CH 30V 84A DPAK

fairchild-semiconductor

FDPF5N50NZ

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4