Proizvođač Broj proizvoda:
FDG312P
Product Overview
Proizvođač:
Fairchild Semiconductor
Broj dela:
FDG312P-DG
Opis:
MOSFET P-CH 20V 1.2A SC88
Detaljan opis:
P-Channel 20 V 1.2A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SC-88 (SC-70-6)
Inventar:
91890 kom. Nova originalna na skladištu
12946840
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
FDG312P Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Pakovanje
Bulk
Serije
PowerTrench®
Status proizvoda
Active
FET Tip
P-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
20 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
1.2A (Ta)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Srs Na (maks) @ id, vgs
180mOhm @ 1.2A, 4.5V
vgs(th) (maks) @ id
1.5V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
5 nC @ 4.5 V
Vgs (Maks)
±8V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
330 pF @ 10 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
750mW (Ta)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Dobavljač uređaja Paket
SC-88 (SC-70-6)
Paket / slučaj
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički listovi
Dodatne informacije
Standardni paket
1,649
Ostala imena
2156-FDG312P
FAIFSCFDG312P
Ekoloska i izvozna klasifikacija
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
FDG311N
MOSFET N-CH 20V 1.9A SC88
STE70NM60
MOSFET N-CH 600V 70A ISOTOP
IRFH7934TRPBF
MOSFET N-CH 30V 24A/76A 8PQFN
