FDG311N
Proizvođač Broj proizvoda:

FDG311N

Product Overview

Proizvođač:

Fairchild Semiconductor

Broj dela:

FDG311N-DG

Opis:

MOSFET N-CH 20V 1.9A SC88
Detaljan opis:
N-Channel 20 V 1.9A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SC-88 (SC-70-6)

Inventar:

65240 kom. Nova originalna na skladištu
12946841
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI

FDG311N Tehničke specifikacije

Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Pakovanje
Bulk
Serije
PowerTrench®
Status proizvoda
Active
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
20 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
1.9A (Ta)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Srs Na (maks) @ id, vgs
115mOhm @ 1.9A, 4.5V
vgs(th) (maks) @ id
1.5V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
4.5 nC @ 4.5 V
Vgs (Maks)
±8V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
270 pF @ 10 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
750mW (Ta)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Dobavljač uređaja Paket
SC-88 (SC-70-6)
Paket / slučaj
6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Tehnička dokumentacija i dokumenti

Tehnički listovi
FDG311N Datasheet

Dodatne informacije

Standardni paket
1,466
Ostala imena
2156-FDG311N
FAIFSCFDG311N

Ekoloska i izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI Sertifikacija
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Povezani proizvodi
stmicroelectronics

STE70NM60

MOSFET N-CH 600V 70A ISOTOP

international-rectifier

IRFH7934TRPBF

MOSFET N-CH 30V 24A/76A 8PQFN

fairchild-semiconductor

FDS8882

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9

fairchild-semiconductor

FCPF7N60NT

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6