Proizvođač Broj proizvoda:
FDD8451
Product Overview
Proizvođač:
Fairchild Semiconductor
Broj dela:
FDD8451-DG
Opis:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
Detaljan opis:
N-Channel 40 V 9A (Ta), 28A (Tc) 30W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
Inventar:
17802 kom. Nova originalna na skladištu
12946478
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
FDD8451 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Pakovanje
Bulk
Serije
PowerTrench®
Status proizvoda
Active
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
40 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
9A (Ta), 28A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
4.5V, 10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
24mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
990 pF @ 20 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
30W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Dobavljač uređaja Paket
TO-252 (DPAK)
Paket / slučaj
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički listovi
Dodatne informacije
Standardni paket
766
Ostala imena
2156-FDD8451
FAIFSCFDD8451
Ekoloska i izvozna klasifikacija
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
FDP8441
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
FQPF8N90C
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
FQPF2N70
MOSFET N-CH 700V 2A TO220F