Proizvođač Broj proizvoda:
FQPF8N90C
Product Overview
Proizvođač:
Fairchild Semiconductor
Broj dela:
FQPF8N90C-DG
Opis:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
Detaljan opis:
N-Channel 900 V 6.3A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220F
Inventar:
2796 kom. Nova originalna na skladištu
12946480
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
FQPF8N90C Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Pakovanje
Bulk
Serije
QFET®
Status proizvoda
Active
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
900 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
6.3A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
1.9Ohm @ 3.15A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
5V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±30V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
2080 pF @ 25 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
60W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Through Hole
Dobavljač uređaja Paket
TO-220F
Paket / slučaj
TO-220-3 Full Pack
Osnovni broj proizvoda
FQPF8
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički listovi
Dodatne informacije
Standardni paket
237
Ostala imena
2156-FQPF8N90C
ONSFSCFQPF8N90C
Ekoloska i izvozna klasifikacija
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
FQPF2N70
MOSFET N-CH 700V 2A TO220F
FCPF9N60NT
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
IRF6668TRPBF
IRF6668 - 12V-300V N-CHANNEL POW
