Proizvođač Broj proizvoda:

SIRS4301DP-T1-GE3

Product Overview

Proizvođač:

Vishay Siliconix

Broj dela:

SIRS4301DP-T1-GE3-DG

Opis:

P-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE

Detaljan opis:

P-Channel 30 V 53.7A (Ta), 227A (Tc) 7.4W (Ta), 132W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Inventar:

RFQ Online

13374269

Zatraži ponudu

Količina
Minimum 1

(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata

POŠALJI

SIRS4301DP-T1-GE3 Tehničke specifikacije

Kategorija

FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi

Proizvođač

Vishay

Pakovanje

Cut Tape (CT) & Digi-Reel®

Serije

-

Pakovanje

Tape & Reel (TR)

Deo Status

Active

FET Tip

P-Channel

Tehnologija

MOSFET (Metal Oxide)

Odvod do izvornog napona (VDS)

30 V

Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C

53.7A (Ta), 227A (Tc)

Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)

4.5V, 10V

Srs Na (maks) @ id, vgs

1.5mOhm @ 20A, 10V

vgs(th) (maks) @ id

2.3V @ 250µA

Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs

255 nC @ 4.5 V

Vgs (Maks)

±20V

Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS

19750 pF @ 15 V

FET karakteristika

-

Rasipanje snage (maks)

7.4W (Ta), 132W (Tc)

Radna temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip montaže

Surface Mount

Dobavljač uređaja Paket

PowerPAK® SO-8

Paket / slučaj

PowerPAK® SO-8

Osnovni broj proizvoda

SIRS4301

Tehnička dokumentacija i dokumenti

Tehnički listovi

Dodatne informacije

Standardni paket

3,000

Ostala imena

742-SIRS4301DP-T1-GE3TR

742-SIRS4301DP-T1-GE3CT

742-SIRS4301DP-T1-GE3DKR

Ekoloska i izvozna klasifikacija

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Sertifikacija

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Povezani proizvodi

SISS4402DN-T1-GE3

N-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE

SISS5623DN-T1-GE3

P-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE

TSM10ND65CI

650V, 10A, SINGLE N-CHANNEL POW

TSM70N900CI

700V, 4.5A, SINGLE N-CHANNEL POW