Proizvođač Broj proizvoda:
SIHG47N60AEL-GE3
Product Overview
Proizvođač:
Vishay Siliconix
Broj dela:
SIHG47N60AEL-GE3-DG
Opis:
MOSFET N-CH 600V 47A TO247AC
Detaljan opis:
N-Channel 600 V 47A (Tc) 379W (Tc) Through Hole TO-247AC
Inventar:
14 kom. Nova originalna na skladištu
13006601
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
SIHG47N60AEL-GE3 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Vishay
Pakovanje
Tube
Serije
EL
Pakovanje
Tube
Deo Status
Obsolete
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
600 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
47A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
65mOhm @ 23.5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
222 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±30V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
4600 pF @ 100 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
379W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Through Hole
Dobavljač uređaja Paket
TO-247AC
Paket / slučaj
TO-247-3
Osnovni broj proizvoda
SIHG47
Alternativni modeli
BROJ DELOVA
STW58N65DM2AG
Proizvođač
STMicroelectronics
KOLIČINA DOSTUPNA
0
DiGi BROJ DELOVA
STW58N65DM2AG-DG
JEDINIČNA CENA
7.29
TIP ZAMENE
MFR Recommended
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
SIHD7N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
SIR638DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 100A PPAK SO-8
SIRA12BDP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 27A/60A PPAK SO8
