SI7159DP-T1-GE3
Proizvođač Broj proizvoda:

SI7159DP-T1-GE3

Product Overview

Proizvođač:

Vishay Siliconix

Broj dela:

SI7159DP-T1-GE3-DG

Opis:

MOSFET P-CH 30V 30A PPAK SO-8
Detaljan opis:
P-Channel 30 V 30A (Tc) 5.4W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Inventar:

13057515
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI

SI7159DP-T1-GE3 Tehničke specifikacije

Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Vishay
Pakovanje
-
Serije
TrenchFET®
Pakovanje
Tape & Reel (TR)
Deo Status
Active
FET Tip
P-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
30 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
30A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
4.5V, 10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
7mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.5V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
180 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±25V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
5170 pF @ 15 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
5.4W (Ta), 83W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Dobavljač uređaja Paket
PowerPAK® SO-8
Paket / slučaj
PowerPAK® SO-8
Osnovni broj proizvoda
SI7159

Dodatne informacije

Standardni paket
3,000

Ekoloska i izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
vishay

SI7450DP-T1-E3

MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK SO-8

vishay

IRFR9214TRL

MOSFET P-CH 250V 2.7A DPAK

vishay

SI4890DY-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

vishay

SI7748DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8