Proizvođač Broj proizvoda:
SUP50020EL-GE3
Product Overview
Proizvođač:
Vishay Siliconix
Broj dela:
SUP50020EL-GE3-DG
Opis:
MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
Detaljan opis:
N-Channel 60 V 120A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventar:
395 kom. Nova originalna na skladištu
12787549
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
SUP50020EL-GE3 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Vishay
Pakovanje
Bulk
Serije
TrenchFET®
Status proizvoda
Active
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
60 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
120A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
4.5V, 10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
2.3mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.5V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
126 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
11113 pF @ 30 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
375W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip montaže
Through Hole
Dobavljač uređaja Paket
TO-220AB
Paket / slučaj
TO-220-3
Osnovni broj proizvoda
SUP50020
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički podaci
Tehnički listovi
HTML Tehnička dokumentacija
Dodatne informacije
Standardni paket
500
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
SUM110N06-3M4L-E3
MOSFET N-CH 60V 110A TO263
SISH108DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 14A PPAK1212-8SH
SUM36N20-54P-E3
MOSFET N-CH 200V 36A TO263
