Proizvođač Broj proizvoda:
SUM50020E-GE3
Product Overview
Proizvođač:
Vishay Siliconix
Broj dela:
SUM50020E-GE3-DG
Opis:
MOSFET N-CH 60V 120A TO263
Detaljan opis:
N-Channel 60 V 120A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventar:
12920573
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
SUM50020E-GE3 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Vishay
Pakovanje
Tape & Reel (TR)
Serije
TrenchFET®
Status proizvoda
Active
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
60 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
120A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
7.5V, 10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
2.2mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
128 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
11150 pF @ 30 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
375W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Dobavljač uređaja Paket
TO-263 (D2PAK)
Paket / slučaj
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Osnovni broj proizvoda
SUM50020
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički podaci
Tehnički listovi
HTML Tehnička dokumentacija
Dodatne informacije
Standardni paket
800
Ostala imena
SUM50020E-GE3-DG
SUM50020E-GE3DKR-DG
SUM50020E-GE3CT
SUM50020E-GE3TR
SUM50020E-GE3DKRINACTIVE
SUM50020E-GE3DKR
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
BROJ DELOVA
TK100E06N1,S1X
Proizvođač
Toshiba Semiconductor and Storage
KOLIČINA DOSTUPNA
11
DiGi BROJ DELOVA
TK100E06N1,S1X-DG
JEDINIČNA CENA
1.09
TIP ZAMENE
MFR Recommended
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
BSS192,135
MOSFET P-CH 240V 200MA SOT89
SQJA00EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 60V 30A PPAK SO-8
SI7633DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
