Proizvođač Broj proizvoda:
SQD50N05-11L_GE3
Product Overview
Proizvođač:
Vishay Siliconix
Broj dela:
SQD50N05-11L_GE3-DG
Opis:
MOSFET N-CH 50V 50A TO252AA
Detaljan opis:
N-Channel 50 V 50A (Tc) 75W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventar:
12786063
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
SQD50N05-11L_GE3 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Vishay
Pakovanje
Tape & Reel (TR)
Serije
TrenchFET®
Status proizvoda
Active
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
50 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
50A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
4.5V, 10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
11mOhm @ 45A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.5V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
52 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
2106 pF @ 25 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
75W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Dobavljač uređaja Paket
TO-252AA
Paket / slučaj
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Osnovni broj proizvoda
SQD50
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički podaci
HTML Tehnička dokumentacija
Tehnički listovi
Dodatne informacije
Standardni paket
2,000
Ostala imena
SQD50N05-11L_GE3CT
SQD50N05-11L_GE3-DG
SQD50N05-11L-GE3-DG
SQD50N05-11L_GE3DKR
SQD50N05-11L-GE3
SQD50N05-11L_GE3TR
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
BROJ DELOVA
FDD8647L
Proizvođač
onsemi
KOLIČINA DOSTUPNA
5438
DiGi BROJ DELOVA
FDD8647L-DG
JEDINIČNA CENA
0.47
TIP ZAMENE
MFR Recommended
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
SIRA12DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 25A PPAK SO-8
SIR638DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 40V 100A PPAK SO-8
SIHG16N50C-E3
MOSFET N-CH 500V 16A TO247AC
