SQ3481EV-T1_GE3
Proizvođač Broj proizvoda:

SQ3481EV-T1_GE3

Product Overview

Proizvođač:

Vishay Siliconix

Broj dela:

SQ3481EV-T1_GE3-DG

Opis:

MOSFET P-CHANNEL 30V 7.5A 6TSOP
Detaljan opis:
P-Channel 30 V 7.5A (Tc) 4W (Tc) Surface Mount 6-TSOP

Inventar:

4043 kom. Nova originalna na skladištu
12916914
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI

SQ3481EV-T1_GE3 Tehničke specifikacije

Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Vishay
Pakovanje
Tape & Reel (TR)
Serije
TrenchFET®
Status proizvoda
Last Time Buy
FET Tip
P-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
30 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
7.5A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
4.5V, 10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
43mOhm @ 5.3A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.5V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
23.5 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
870 pF @ 15 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
4W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Razredu
Automotive
Kvalifikacije
AEC-Q101
Tip montaže
Surface Mount
Dobavljač uređaja Paket
6-TSOP
Paket / slučaj
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Osnovni broj proizvoda
SQ3481

Tehnička dokumentacija i dokumenti

Tehnički podaci
Tehnički listovi
HTML Tehnička dokumentacija

Dodatne informacije

Standardni paket
3,000
Ostala imena
SQ3481EV-T1_GE3CT
SQ3481EV-T1_GE3-DG
SQ3481EV-T1_GE3DKR
SQ3481EV-T1_GE3TR

Ekoloska i izvozna klasifikacija

Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
vishay-siliconix

SIR880DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SIHG73N60E-E3

MOSFET N-CH 600V 73A TO247AC

vishay-siliconix

SIHH21N65EF-T1-GE3

MOSFET N-CH 650V 19.8A PPAK 8X8

vishay-siliconix

SI7860DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8