Proizvođač Broj proizvoda:
SIZF906ADT-T1-GE3
Product Overview
Proizvođač:
Vishay Siliconix
Broj dela:
SIZF906ADT-T1-GE3-DG
Opis:
MOSFET 2N-CH 30V 27A 8POWERPAIR
Detaljan opis:
Mosfet Array 30V 27A (Ta), 60A (Tc), 52A (Ta), 60A (Tc) 4.5W (Ta), 38W (Tc), 5W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount 8-PowerPair® (6x5)
Inventar:
12787748
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
SIZF906ADT-T1-GE3 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, FET, MOSFET nizovi
Proizvođač
Vishay
Pakovanje
Tape & Reel (TR)
Serije
TrenchFET® Gen IV
Status proizvoda
Active
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguracija
2 N-Channel (Dual), Schottky
FET karakteristika
-
Odvod do izvornog napona (VDS)
30V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
27A (Ta), 60A (Tc), 52A (Ta), 60A (Tc)
Srs Na (maks) @ id, vgs
3.8mOhm @ 15A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.2V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
49nC @ 10V, 200nC @ 10V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V
Snaga - Maks
4.5W (Ta), 38W (Tc), 5W (Ta), 83W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Paket / slučaj
8-PowerWDFN
Dobavljač uređaja Paket
8-PowerPair® (6x5)
Osnovni broj proizvoda
SIZF906
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički podaci
Tehnički listovi
HTML Tehnička dokumentacija
Dodatne informacije
Standardni paket
3,000
Ostala imena
SIZF906ADT-T1-GE3DKR
SIZF906ADT-T1-GE3CT
SIZF906ADT-T1-GE3TR
2266-SIZF906ADT-T1-GE3TR
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
VQ1001P-2
MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP
SIZ918DT-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 16A 8PWRPAIR
VQ1001P-E3
MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP
