Proizvođač Broj proizvoda:
SIR688DP-T1-GE3
Product Overview
Proizvođač:
Vishay Siliconix
Broj dela:
SIR688DP-T1-GE3-DG
Opis:
MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Detaljan opis:
N-Channel 60 V 60A (Tc) 5.4W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventar:
12921024
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
SIR688DP-T1-GE3 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Vishay
Pakovanje
Tape & Reel (TR)
Serije
TrenchFET®
Status proizvoda
Active
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
60 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
60A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
4.5V, 10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
3.5mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.7V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
66 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
3105 pF @ 30 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
5.4W (Ta), 83W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Dobavljač uređaja Paket
PowerPAK® SO-8
Paket / slučaj
PowerPAK® SO-8
Osnovni broj proizvoda
SIR688
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Crteži proizvoda
Tehnički listovi
Dodatne informacije
Standardni paket
3,000
Ostala imena
SIR688DP-T1-GE3DKR
SIR688DP-T1-GE3-DG
SIR688DP-T1-GE3TR
SIR688DP-T1-GE3CT
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
BROJ DELOVA
RS3L045GNGZETB
Proizvođač
Rohm Semiconductor
KOLIČINA DOSTUPNA
1173
DiGi BROJ DELOVA
RS3L045GNGZETB-DG
JEDINIČNA CENA
0.25
TIP ZAMENE
MFR Recommended
BROJ DELOVA
RS1L145GNTB
Proizvođač
Rohm Semiconductor
KOLIČINA DOSTUPNA
1003
DiGi BROJ DELOVA
RS1L145GNTB-DG
JEDINIČNA CENA
0.81
TIP ZAMENE
MFR Recommended
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
SIHU7N60E-E3
MOSFET N-CH 600V 7A TO251
SIHP24N65E-GE3
MOSFET N-CH 650V 24A TO220AB
SQJ469EP-T1_GE3
MOSFET P-CH 80V 32A PPAK SO-8
