SIR462DP-T1-GE3
Proizvođač Broj proizvoda:

SIR462DP-T1-GE3

Product Overview

Proizvođač:

Vishay Siliconix

Broj dela:

SIR462DP-T1-GE3-DG

Opis:

MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
Detaljan opis:
N-Channel 30 V 30A (Tc) 4.8W (Ta), 41.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Inventar:

33148 kom. Nova originalna na skladištu
12916752
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI

SIR462DP-T1-GE3 Tehničke specifikacije

Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Vishay
Pakovanje
Tape & Reel (TR)
Serije
TrenchFET®
Status proizvoda
Active
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
30 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
30A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
4.5V, 10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
7.9mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
1155 pF @ 15 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
4.8W (Ta), 41.7W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Dobavljač uređaja Paket
PowerPAK® SO-8
Paket / slučaj
PowerPAK® SO-8
Osnovni broj proizvoda
SIR462

Tehnička dokumentacija i dokumenti

Tehnički podaci
Tehnički listovi
HTML Tehnička dokumentacija

Dodatne informacije

Standardni paket
3,000
Ostala imena
SIR462DP-T1-GE3DKR
SIR462DPT1GE3
SIR462DP-T1-GE3CT
SIR462DP-T1-GE3TR

Ekoloska i izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
vishay-siliconix

SI4778DY-T1-GE3

MOSFET N-CH 25V 8A 8SO

vishay-siliconix

SI1307EDL-T1-GE3

MOSFET P-CH 12V 850MA SC70-3

vishay-siliconix

SIHA4N80E-GE3

MOSFET N-CH 800V 4.3A TO220

vishay-siliconix

SQD19P06-60L_T4GE3

MOSFET P-CH 60V 20A TO252AA