Proizvođač Broj proizvoda:
SIHP6N80E-BE3
Product Overview
Proizvođač:
Vishay Siliconix
Broj dela:
SIHP6N80E-BE3-DG
Opis:
N-CHANNEL 800V
Detaljan opis:
N-Channel 800 V 5.4A (Tc) 78W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventar:
500 kom. Nova originalna na skladištu
12977798
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
SIHP6N80E-BE3 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Vishay
Pakovanje
Tube
Serije
E
Status proizvoda
Active
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
800 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
5.4A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
940mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
44 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±30V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
827 pF @ 100 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
78W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Through Hole
Dobavljač uređaja Paket
TO-220AB
Paket / slučaj
TO-220-3
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički listovi
Dodatne informacije
Standardni paket
50
Ostala imena
742-SIHP6N80E-BE3
742-SIHP6N80E-BE3CTINACTIVE
742-SIHP6N80E-BE3DKRINACTIVE
742-SIHP6N80E-BE3TR
742-SIHP6N80E-BE3TR-DG
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
SQJ457EP-T1_BE3
P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
SQJ170ELP-T1_GE3
N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
SQJ415EP-T1_BE3
P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
