SIHG73N60E-GE3
Proizvođač Broj proizvoda:

SIHG73N60E-GE3

Product Overview

Proizvođač:

Vishay Siliconix

Broj dela:

SIHG73N60E-GE3-DG

Opis:

MOSFET N-CH 600V 73A TO247AC
Detaljan opis:
N-Channel 600 V 73A (Tc) 520W (Tc) Through Hole TO-247AC

Inventar:

496 kom. Nova originalna na skladištu
12916715
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI

SIHG73N60E-GE3 Tehničke specifikacije

Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Vishay
Pakovanje
Tube
Serije
-
Status proizvoda
Active
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
600 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
73A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
39mOhm @ 36A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
362 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±30V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
7700 pF @ 100 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
520W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Through Hole
Dobavljač uređaja Paket
TO-247AC
Paket / slučaj
TO-247-3
Osnovni broj proizvoda
SIHG73

Tehnička dokumentacija i dokumenti

Tehnički listovi
SIHG73N60E

Dodatne informacije

Standardni paket
25
Ostala imena
SIHG73N60E-GE3CT
SIHG73N60E-GE3CT-DG
SIHG73N60E-GE3TR
SIHG73N60EGE3
SIHG73N60E-GE3TR-DG
SIHG73N60E-GE3TRINACTIVE

Ekoloska i izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikacija
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Povezani proizvodi
vishay-siliconix

SI5404BDC-T1-E3

MOSFET N-CH 20V 5.4A 1206-8

vishay-siliconix

SI7495DP-T1-GE3

MOSFET P-CH 12V 13A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SUM40N02-12P-E3

MOSFET N-CH 20V 40A TO263

vishay-siliconix

SI4322DY-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 18A 8SO