SIHG25N50E-GE3
Proizvođač Broj proizvoda:

SIHG25N50E-GE3

Product Overview

Proizvođač:

Vishay Siliconix

Broj dela:

SIHG25N50E-GE3-DG

Opis:

MOSFET N-CH 500V 26A TO247AC
Detaljan opis:
N-Channel 500 V 26A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-247AC

Inventar:

12916045
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI

SIHG25N50E-GE3 Tehničke specifikacije

Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Vishay
Pakovanje
Tube
Serije
-
Status proizvoda
Active
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
500 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
26A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
145mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
86 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±30V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
1980 pF @ 100 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
250W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Through Hole
Dobavljač uređaja Paket
TO-247AC
Paket / slučaj
TO-247-3
Osnovni broj proizvoda
SIHG25

Tehnička dokumentacija i dokumenti

Tehnički podaci
HTML Tehnička dokumentacija
Tehnički listovi

Dodatne informacije

Standardni paket
25

Ekoloska i izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternativni modeli

BROJ DELOVA
IXTH30N50P
Proizvođač
IXYS
KOLIČINA DOSTUPNA
0
DiGi BROJ DELOVA
IXTH30N50P-DG
JEDINIČNA CENA
4.33
TIP ZAMENE
MFR Recommended
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
vishay-siliconix

SQJ433EP-T1_GE3

MOSFET P-CH 30V 75A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SI7788DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8

nexperia

BUK9506-40B,127

MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB

vishay-siliconix

SI9433BDY-T1-E3

MOSFET P-CH 20V 4.5A 8SO