Proizvođač Broj proizvoda:
SIHG11N80AE-GE3
Product Overview
Proizvođač:
Vishay Siliconix
Broj dela:
SIHG11N80AE-GE3-DG
Opis:
MOSFET N-CH 800V 8A TO247AC
Detaljan opis:
N-Channel 800 V 8A (Tc) 78W (Tc) Through Hole TO-247AC
Inventar:
12977656
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
SIHG11N80AE-GE3 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Vishay
Pakovanje
Tube
Serije
E
Status proizvoda
Active
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
800 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
8A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
450mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
42 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±30V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
804 pF @ 100 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
78W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Through Hole
Dobavljač uređaja Paket
TO-247AC
Paket / slučaj
TO-247-3
Osnovni broj proizvoda
SIHG11
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički listovi
Dodatne informacije
Standardni paket
500
Ostala imena
742-SIHG11N80AE-GE3
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
IRFZ24PBF-BE3
MOSFET N-CH 60V 17A TO220AB
MCAC35N10Y-TP
MOSFET N-CH 100V 35A DFN5060
IRFR024TRPBF-BE3
MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
