Proizvođač Broj proizvoda:
SIHFS9N60A-GE3
Product Overview
Proizvođač:
Vishay Siliconix
Broj dela:
SIHFS9N60A-GE3-DG
Opis:
MOSFET N-CH 600V 9.2A TO263
Detaljan opis:
N-Channel 600 V 9.2A (Tc) 170W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventar:
12918522
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
zWSE
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
SIHFS9N60A-GE3 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Vishay
Pakovanje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Status proizvoda
Active
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
600 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
9.2A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
750mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
49 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±30V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
1400 pF @ 25 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
170W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Dobavljač uređaja Paket
TO-263 (D2PAK)
Paket / slučaj
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Osnovni broj proizvoda
SIHFS9
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički podaci
Tehnički listovi
HTML Tehnička dokumentacija
Dodatne informacije
Standardni paket
1,000
Ekoloska i izvozna klasifikacija
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
BROJ DELOVA
IRFS9N60ATRRPBF
Proizvođač
Vishay Siliconix
KOLIČINA DOSTUPNA
875
DiGi BROJ DELOVA
IRFS9N60ATRRPBF-DG
JEDINIČNA CENA
1.51
TIP ZAMENE
Parametric Equivalent
BROJ DELOVA
IRFS9N60ATRLPBF
Proizvođač
Vishay Siliconix
KOLIČINA DOSTUPNA
800
DiGi BROJ DELOVA
IRFS9N60ATRLPBF-DG
JEDINIČNA CENA
1.51
TIP ZAMENE
Parametric Equivalent
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
SI4835DDY-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 13A 8SO
SIHA12N60E-E3
MOSFET N-CH 600V 12A TO220
SIR870DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8