Proizvođač Broj proizvoda:
SIHD6N65E-GE3
Product Overview
Proizvođač:
Vishay Siliconix
Broj dela:
SIHD6N65E-GE3-DG
Opis:
MOSFET N-CH 650V 7A DPAK
Detaljan opis:
N-Channel 650 V 7A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventar:
2875 kom. Nova originalna na skladištu
12786709
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
SIHD6N65E-GE3 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Vishay
Pakovanje
Tube
Serije
-
Status proizvoda
Active
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
650 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
7A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
600mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±30V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
820 pF @ 100 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
78W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Dobavljač uređaja Paket
TO-252AA
Paket / slučaj
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Osnovni broj proizvoda
SIHD6
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički podaci
Tehnički listovi
HTML Tehnička dokumentacija
Dodatne informacije
Standardni paket
75
Ostala imena
SIHD6N65E-GE3TRINACTIVE
SIHD6N65E-GE3TR-DG
SIHD6N65E-GE3CT-DG
SIHD6N65E-GE3TR
SIHD6N65E-GE3CT
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
SIHG44N65EF-GE3
MOSFET N-CH 650V 46A TO247AC
SQD19P06-60L_GE3
MOSFET P-CH 60V 20A TO252
SIDR608DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 45V 51A/208A PPAK
