Proizvođač Broj proizvoda:
SIHD3N50D-BE3
Product Overview
Proizvođač:
Vishay Siliconix
Broj dela:
SIHD3N50D-BE3-DG
Opis:
MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
Detaljan opis:
N-Channel 500 V 3A (Tc) 69W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventar:
12971143
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
SIHD3N50D-BE3 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Vishay
Pakovanje
Tube
Serije
D
Status proizvoda
Active
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
500 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
3A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
3.2Ohm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
5V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±30V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
175 pF @ 100 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
69W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Dobavljač uređaja Paket
TO-252AA
Paket / slučaj
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Osnovni broj proizvoda
SIHD3
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički podaci
Tehnički listovi
HTML Tehnička dokumentacija
Dodatne informacije
Standardni paket
75
Ostala imena
742-SIHD3N50D-BE3
Ekoloska i izvozna klasifikacija
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
PJQ4444P-AU_R2_000A1
40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
AO3487
MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT23-3
PJW5N10A_R2_00001
100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
