Proizvođač Broj proizvoda:
SIHB21N65EF-GE3
Product Overview
Proizvođač:
Vishay Siliconix
Broj dela:
SIHB21N65EF-GE3-DG
Opis:
MOSFET N-CH 650V 21A D2PAK
Detaljan opis:
N-Channel 650 V 21A (Tc) 208W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventar:
343 kom. Nova originalna na skladištu
12787255
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
SIHB21N65EF-GE3 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Vishay
Pakovanje
Tube
Serije
-
Status proizvoda
Active
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
650 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
21A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
180mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
106 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±30V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
2322 pF @ 100 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
208W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Dobavljač uređaja Paket
TO-263 (D2PAK)
Paket / slučaj
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Osnovni broj proizvoda
SIHB21
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički podaci
Tehnički listovi
HTML Tehnička dokumentacija
Dodatne informacije
Standardni paket
50
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
SQD50N04-5M6L_GE3
MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA
SUD50P10-43L-GE3
MOSFET P-CH 100V 37.1A TO252
SQM50034E_GE3
MOSFET N-CH 60V 100A TO263
