SIHB20N50E-GE3
Proizvođač Broj proizvoda:

SIHB20N50E-GE3

Product Overview

Proizvođač:

Vishay Siliconix

Broj dela:

SIHB20N50E-GE3-DG

Opis:

MOSFET N-CH 500V 19A D2PAK
Detaljan opis:
N-Channel 500 V 19A (Tc) 179W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventar:

2658 kom. Nova originalna na skladištu
12919659
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI

SIHB20N50E-GE3 Tehničke specifikacije

Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Vishay
Pakovanje
Bulk
Serije
-
Status proizvoda
Active
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
500 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
19A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
184mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
92 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±30V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
1640 pF @ 100 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
179W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Dobavljač uređaja Paket
TO-263 (D2PAK)
Paket / slučaj
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Osnovni broj proizvoda
SIHB20

Tehnička dokumentacija i dokumenti

Tehnički podaci
Tehnički listovi
HTML Tehnička dokumentacija

Dodatne informacije

Standardni paket
1,000

Ekoloska i izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
vishay-siliconix

SI5475DC-T1-GE3

MOSFET P-CH 12V 5.5A 1206-8

nexperia

BUK9510-100B,127

MOSFET N-CH 100V 75A TO220AB

vishay-siliconix

SI4860DY-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 11A 8SO

vishay-siliconix

SI7404DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 8.5A PPAK 1212-8