Proizvođač Broj proizvoda:
SIHB15N65E-GE3
Product Overview
Proizvođač:
Vishay Siliconix
Broj dela:
SIHB15N65E-GE3-DG
Opis:
MOSFET N-CH 650V 15A TO263
Detaljan opis:
N-Channel 650 V 15A (Tc) 34W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventar:
12787511
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
SIHB15N65E-GE3 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Vishay
Pakovanje
Tube
Serije
-
Status proizvoda
Active
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
650 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
15A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
280mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
96 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±30V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
1640 pF @ 100 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
34W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Dobavljač uređaja Paket
TO-263 (D2PAK)
Paket / slučaj
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Osnovni broj proizvoda
SIHB15
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički podaci
Tehnički listovi
HTML Tehnička dokumentacija
Dodatne informacije
Standardni paket
1,000
Ekoloska i izvozna klasifikacija
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
BROJ DELOVA
TK14G65W,RQ
Proizvođač
Toshiba Semiconductor and Storage
KOLIČINA DOSTUPNA
3525
DiGi BROJ DELOVA
TK14G65W,RQ-DG
JEDINIČNA CENA
0.93
TIP ZAMENE
MFR Recommended
BROJ DELOVA
STB25N80K5
Proizvođač
STMicroelectronics
KOLIČINA DOSTUPNA
630
DiGi BROJ DELOVA
STB25N80K5-DG
JEDINIČNA CENA
2.75
TIP ZAMENE
MFR Recommended
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
SQP90142E_GE3
MOSFET N-CH 200V 78.5A TO220AB
SIJ494DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 150V 36.8A PPAK SO-8
SIHG180N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 19A TO247AC
