Proizvođač Broj proizvoda:
SIHA6N80E-GE3
Product Overview
Proizvođač:
Vishay Siliconix
Broj dela:
SIHA6N80E-GE3-DG
Opis:
MOSFET N-CH 800V 5.4A TO220
Detaljan opis:
N-Channel 800 V 5.4A (Tc) 31W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack
Inventar:
12920450
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
SIHA6N80E-GE3 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Vishay
Pakovanje
Tube
Serije
E
Status proizvoda
Active
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
800 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
5.4A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
940mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
44 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±30V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
827 pF @ 100 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
31W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Through Hole
Dobavljač uređaja Paket
TO-220 Full Pack
Paket / slučaj
TO-220-3 Full Pack
Osnovni broj proizvoda
SIHA6
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički podaci
Tehnički listovi
HTML Tehnička dokumentacija
Dodatne informacije
Standardni paket
1,000
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
BROJ DELOVA
STP9NK65ZFP
Proizvođač
STMicroelectronics
KOLIČINA DOSTUPNA
68
DiGi BROJ DELOVA
STP9NK65ZFP-DG
JEDINIČNA CENA
0.65
TIP ZAMENE
MFR Recommended
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
SIE810DF-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 60A 10POLARPAK
SUM90N08-7M6P-E3
MOSFET N-CH 75V 90A TO263
SIRA24DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
