Proizvođač Broj proizvoda:
SI8435DB-T1-E1
Product Overview
Proizvođač:
Vishay Siliconix
Broj dela:
SI8435DB-T1-E1-DG
Opis:
MOSFET P-CH 20V 10A 4MICROFOOT
Detaljan opis:
P-Channel 20 V 10A (Tc) 2.78W (Ta), 6.25W (Tc) Surface Mount 4-Microfoot
Inventar:
12914183
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
SI8435DB-T1-E1 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Vishay
Pakovanje
-
Serije
TrenchFET®
Status proizvoda
Obsolete
FET Tip
P-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
20 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
10A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
Srs Na (maks) @ id, vgs
41mOhm @ 1A, 4.5V
vgs(th) (maks) @ id
1V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
35 nC @ 5 V
Vgs (Maks)
±5V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
1600 pF @ 10 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
2.78W (Ta), 6.25W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Dobavljač uređaja Paket
4-Microfoot
Paket / slučaj
4-XFBGA, CSPBGA
Osnovni broj proizvoda
SI8435
Dodatne informacije
Standardni paket
3,000
Ostala imena
SI8435DBT1E1
SI8435DB-T1-E1TR
SI8435DB-T1-E1DKR
SI8435DB-T1-E1CT
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
IRFL210
MOSFET N-CH 200V 960MA SOT223
SI7478DP-T1-E3
MOSFET N-CH 60V 15A PPAK SO-8
SI3460DDV-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 7.9A 6TSOP
