Proizvođač Broj proizvoda:
SI7962DP-T1-E3
Product Overview
Proizvođač:
Vishay Siliconix
Broj dela:
SI7962DP-T1-E3-DG
Opis:
MOSFET 2N-CH 40V 7.1A PPAK SO8
Detaljan opis:
Mosfet Array 40V 7.1A 1.4W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
Inventar:
12919656
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
SI7962DP-T1-E3 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, FET, MOSFET nizovi
Proizvođač
Vishay
Pakovanje
-
Serije
TrenchFET®
Status proizvoda
Active
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguracija
2 N-Channel (Dual)
FET karakteristika
-
Odvod do izvornog napona (VDS)
40V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
7.1A
Srs Na (maks) @ id, vgs
17mOhm @ 11.1A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4.5V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
70nC @ 10V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
-
Snaga - Maks
1.4W
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Paket / slučaj
PowerPAK® SO-8 Dual
Dobavljač uređaja Paket
PowerPAK® SO-8 Dual
Osnovni broj proizvoda
SI7962
Dodatne informacije
Standardni paket
3,000
Ostala imena
SI7962DP-T1-E3TR
SI7962DPT1E3
SI7962DP-T1-E3DKR
SI7962DP-T1-E3CT
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
SI5999EDU-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 20V 6A PPAK CHIPFET
SI7842DP-T1-E3
MOSFET 2N-CH 30V 6.3A PPAK SO8
SI4904DY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC