Proizvođač Broj proizvoda:
SI7852ADP-T1-GE3
Product Overview
Proizvođač:
Vishay Siliconix
Broj dela:
SI7852ADP-T1-GE3-DG
Opis:
MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8
Detaljan opis:
N-Channel 80 V 30A (Tc) 5W (Ta), 62.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventar:
8624 kom. Nova originalna na skladištu
12915441
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
SI7852ADP-T1-GE3 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Vishay
Pakovanje
Tape & Reel (TR)
Serije
TrenchFET®
Status proizvoda
Active
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
80 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
30A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
8V, 10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
17mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4.5V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
1825 pF @ 40 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
5W (Ta), 62.5W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Dobavljač uređaja Paket
PowerPAK® SO-8
Paket / slučaj
PowerPAK® SO-8
Osnovni broj proizvoda
SI7852
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički podaci
Tehnički listovi
HTML Tehnička dokumentacija
Dodatne informacije
Standardni paket
3,000
Ostala imena
SI7852ADP-T1-GE3TR
SI7852ADP-T1-GE3DKR
SI7852ADPT1GE3
SI7852ADP-T1-GE3CT
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
IRFS11N50APBF
MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
SI7848BDP-T1-E3
MOSFET N-CH 40V 47A PPAK SO-8
SI8402DB-T1-E1
MOSFET N-CH 20V 5.3A 2X2 4-MFP
