Proizvođač Broj proizvoda:
SI7850DP-T1-E3
Product Overview
Proizvođač:
Vishay Siliconix
Broj dela:
SI7850DP-T1-E3-DG
Opis:
MOSFET N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8
Detaljan opis:
N-Channel 60 V 6.2A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventar:
11679 kom. Nova originalna na skladištu
12914538
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
SI7850DP-T1-E3 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Vishay
Pakovanje
Tape & Reel (TR)
Serije
TrenchFET®
Status proizvoda
Active
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
60 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
6.2A (Ta)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
4.5V, 10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
22mOhm @ 10.3A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
27 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
1.8W (Ta)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Dobavljač uređaja Paket
PowerPAK® SO-8
Paket / slučaj
PowerPAK® SO-8
Osnovni broj proizvoda
SI7850
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički podaci
Tehnički listovi
HTML Tehnička dokumentacija
Dodatne informacije
Standardni paket
3,000
Ostala imena
SI7850DP-T1-E3CT
SI7850DP-T1-E3DKR
SI7850DPT1E3
SI7850DP-T1-E3TR
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
SI4660DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 25V 23.1A 8SO
IRL530STRRPBF
MOSFET N-CH 100V 15A D2PAK
SI7892BDP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8
